金融界2024年4月13日消息，据国家知识产权局公告，北京大学申请一项名为“一种存储器结构及其集成方法“，公开号CN117878140A，申请日期为2024年1月。
专利摘要显示，本发明提供了一种存储器结构及其集成方法，属于半导体技术领域。所述存储器结构位于一个半导体衬底上，自下而上包括晶体管层、中间金属互连层、放大电容层和上层金属互连层，晶体管层包括并排放置的一个N型和一个P型低功耗双导器件，中间金属互连层包括接触孔、SN互连线通孔、金属互连线、接触孔间介质和金属互连线间介质，放大电容层包括下极板层、介质层和上极板层，上层金属互连层包括上极板通孔、金属互连线、接触孔间介质和金属互连线间介质。该存储器结构通过与硅基CMOS单片集成实现制备，具有无串扰、低功耗、且读写速度满足电路需求的优势，其集成方法成本较低、技术可迭代性强。
本文源自金融界
